國立台灣科技大學-專利商品網-專利技術-碳化矽晶片、晶體、磊晶層及元件缺陷的檢驗與分析方法及裝置

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技術名稱 Technology

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發明人 Inventor

張復瑜,

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所有權人 Asignee

國立臺灣科技大學

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專利國家 Country	申請號 Application No.	專利號 Patent No.	中心案號 Serial No.
中華民國	114109889	申請中	1140004TW0

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技術摘要：

目前碳化矽晶圓及晶體的缺陷檢測，使用結合拋光、蝕刻及顯微鏡觀察的破壞檢測方法。現行方法不僅耗時且成本高，更重要的是現行方法為破壞性檢測，因此只能做抽樣檢測，且檢測後的晶體或晶圓便不能再使用。本專利提出以X-ray光源進行晶體的斷層掃描缺陷檢測，結合微米解析度的投影式X光顯微鏡(projection X-ray microscopy, PXM)、奈米解析度穿透X光顯微鏡(transmission X-ray microscopy , TXM)及碳化矽晶體缺陷延伸原理，建立創新的非破壞性碳化矽晶體檢測方法。此方法相對傳統以蝕刻法進行晶體缺陷檢測，有非破壞性及檢測速度快的明顯優點，並可在不需切割晶體的情形下，達到碳化矽晶體的三維缺陷檢測。

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