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郭東昊

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材料科學與工程系(所)
 
學經歷：
  學歷:
美伊利諾州立大學香檳校區 材料系陶瓷工程博士

經歷:
1. 國立東華大學材料科學與工程系，系主任、教授、副教授、助理教授
2. 美國羅格斯大學，陶瓷系納米粉末研究中心，資深助理
3. 工業技術研究院材料所超導材料組， 副研究員
 
專業技術
  軟性電子材料研究、有機-無機界面官能基接合、CIGSe太陽能電池、鐵電與鐵磁材料開發、化學氣相沉積法製備氧化物及非氧化物陶瓷薄膜、氣相法與溼法製備一維材料、磁控濺鍍鐵電陶瓷薄膜及氧化物薄膜、氣相觸媒法製備奈米碳管、金屬與陶瓷硬銲接合、金屬/陶瓷功能梯度材料、高介電陶瓷粉體之研發、半導體薄膜
   
專利介紹
  包含二元金屬氧化物的電極材料、包含其之電極的製備方法以及超級電容器  
本申請案提出以化學合成法(包括壓力釜水熱法與電化學電鍍法)製備改質型過渡金屬氧化物於多孔泡沫鎳上，作......
 

  複合型金屬氧化物電催化劑及其製造方法  
在工業中，NH3通常由Haber-Bosch哈柏法工藝生產，是一項有109年歷史的合成技術，也是人類......
 

  雙金屬硫氧化物固溶體觸媒及其製造方法、二氧化碳還原方法、重金屬還原方法以及有機化合物氫化方法  
本發明提供一種雙金屬硫氧化物固溶體觸媒。雙金屬硫氧化物固溶體觸媒由式(1)表示：
M(1)x......
 

  一種薄膜濺鍍技術可製作p型GaN為主的III-nitride半導體薄膜  
本發明提出一種薄膜濺鍍技術，此技術所使用的靶材，其組成以GaN為主，另外還包含兩種以上之金屬組成，利......
 

  奈米纖維素纖維與醋酸纖維素複合紡絲纖維及其製造方法  
一種纖維素纖維(CNF)與三醋酸纖維複合材料進行紡絲的製程與所得之紡絲產品。本發明是利用纖維素纖維(......
 

  雙功能電極及其製備方法與在鋅空氣電池的應用  
本申請案提出具有製程簡易、製程時間極短 (5分鐘電鍍+2小時退火)、低能耗且潔淨製程等應用優勢的技術......
 

  電極材料、電極的製備方法及其在超級電容器的應用  
本申請案提出具有製程簡易、製程時間極短、低能耗潔淨製程等應用優勢電化學電鍍法，製備改質型釩基金屬氧化......
 

研究成果與計畫
 

教授課程

1. 材料熱力學 (Thermodynamics of Materials)
2. 電子陶瓷 (Electronic Ceramics)
3. 材料科學與工程導論 (Introduction to Materials Science and Engineering)
4. 材料物理性質 (Physical Properties of Materials)
5. 材料動力學 (Kinetics in Materials)
6. 陶瓷材料 (Ceramics)
7. 物理材料學

榮譽獎項

1. 國立台灣科技大學[優良研究及創作獎]，The Excellent Research Award, National Taiwan University of Science and Technology, 2008.
2. 榮獲國科會八十六與八十九學年甲種研究獎助
Grade A Research awards of National Science Council in 1997 and 2000

期刊論文

1. D. H. Kuo*, K. T. Yeh, R. K. Shiue, M. H. Wei, Joining of 316SS and Al2O3 Using Braze-infiltrated Ni Net, ISIJ int. (IRON STEEL INST JAPAN), Accepted.
2. D. H. Kuo*, Y. C. Chen, C. Y. Ho, J. P. Chu, Characterizations and properties of nickel aluminide nanocrystals in alumina layer for nonvolatile memory applications, J. Electronic Materials, accepted.
3. D. H. Kuo, H. Chang, and J. Y. Cheng, Polycrystalline ZnO Nanowires obtained from Template-directed Zinc Oxalate Solutions, International Journal of Nanoscience, accepted.
4. D. H. Kuo*, K. T. Yeh, R. K. Shiue, M. H. Wei, Microstructural Characterizations of the 316 Stainless Steel-Alumina Joining by a Modified Moly-Manganese Process and Brazing, Advanced Materials Research, 189-193 (2011) 3339-3344.
5. D. H. Kuo*, H. C. Yang, J. Y. Cheng, Catalyst effects on the growth of GaN nanowires by chemical vapor deposition with different Ga sources of GaCl3 and Ga2Cl4, J. Electrochem. Soc. Accepted.
6. D. H. Kuo*, H. Chang, and J. Y. Cheng, Polycrystalline ZnO Nanowires obtained from Template-directed Zinc Oxalate Solutions, International Journal of Nanoscience., accepted.
7. Dong-Hau Kuo*, Wei-Di Haung, Ying-Sheng Huang, Jiun-De Wu, and Yan-Jih Lin, Effect of post-deposition annealing on the performance of D.C. sputtered Cu2SnSe3 thin films, Surface Coatings and Technol., 205 (2010) S196–S200. [12 月].
8. D. H. Kuo*, Chang-Yi Chou, Yung-Kang Kuo, Phase stabilization of LaNiO3 perovskite and electric resistivity of its A/B-site substituted, Ni-deficient La(Ni0.6Fe0.3)O3 modifiers, International Applied Ceramic Technology, 7 [2] 217–225 (2010). [3/4 月]
9. Dong-Hau Kuo*, Wei-Di Haung, Ying-Sheng Huang, Jiun-De Wu, and Yan-Jih Lin, Single-step sputtered Cu2SnSe3 films using the targets composed of Cu2Se and SnSe2, Thin Solid Films, Thin Solid Films 518 (2010) 7218–7221. [2 月]
10. Dong-Hau Kuo*, Bo-Jie Chang, From Preannealing of Bilayer Catalysts To Explore the Growth Micromechanisms of ZnO Nanorods, Crystal Growth & Design, 10 (2010) 977-982. DOI: 10.1021/cg901285f. [2 月]
11. D. H. Kuo*, W. H. Wu, LiF-assisted chemical vapor deposition for growing GaN nanowires, Chemical Vapor Deposition, 15 [1-3] (2009) 11-14. [3 月]
12. D. H. Kuo* and Y. C. Chang, “The effect of film thickness of indium-substituted (Bi3.35Nd0.65)4Ti3O12 films on ferroelectric performance,” Ferroelectrics, 382 (2009) 127–134.
3. D. H. Kuo*, W. H. Wu, Synthesis of Chemical-Vapor-Deposited Gallium Nitride Nanowires with a Gallium Oxide-Ammonia System, J. Electrochem. Soc., 156 (1) K1-K3 (2009). [1 月]
14. D. H. Kuo* and C. H. Shih, Native defects and its effects on properties of sputtered InN films, Applied Physics Letters, 93 (2008) 164105. [10 月]
15. D. H. Kuo* and Y. W. Kao, The performance of the A-site donor/B-site acceptor-cosubstituted (K,Bi)Bi4(Ti3.8M0.2)O15 ferroelectric thin films with M= Mn, Fe, and Ni, Solid State Communications, 148 (2008) 279-282. [10 月] doi:10.1016/j.ssc.2008.09.008.
16. D. H. Kuo*, W. H. Wu, C. L. Chang, “Growth and characterization of sputtered LaNiO3 films obtained with (La2NiO4+Ni) cermet targets,” Thin Solid Films, 517 (2008) 731–736. [11 月]
17. D. H. Kuo*, C. W. Hsu, C. H. Liang, CVD growth of In2O3 nanowires by using a mixed source of indium and indium chloride, J. Electrochem. Soc. 155 (9) K156-K160 (2008). [9 月]
18. D.H. Kuo*, C.L. Chang, K.S. Chen, T.Y. Yeh, R.K. Shiue, M.H. Wei, Functionally Gradient (YSZ-20%Al2O3)-SUS422 Composites, Metals and Materials International, 14 (2008) 411-417. [8 月] (SCI/EI); doi:10.3365/met.mat.2008.08.411.
19. D. H. Kuo* and K. C. Huang, “Phase composition and properties of solid solutions of GdFeO3-GdInO3 bulks,” Ceramic International, 36 (2008) 1503 – 1507. [8 月]
20. D. H. Kuo* and Kuo-Chang Chiang, “Ferroelectric In3+-added Bi4Ti3O12 films obtained by magnetron sputtering with two series of In3+-varied and Bi3+-varied targets,” Thin Solid Films, 516 (2008) 5985-5990. [7 月]
21. T.Y. Yeh, D.H. Kuo and R.K. Shiue*, Thermal Stress Simulations of SOFC
Membrane-electrode Assembly, Advanced Materials Research Vols. 47-50 (2008) pp 1-4. [6月]
22. D. H. Kuo*, R. K. Shiue, W. Y. Tseng, C. H. Shih, T.Y. Yeh, and M. H. Wei, Functionally Gradient 3YSZ-IN713LC Composites, Advanced Materials Research Vols. 47-50 (2008) pp 5-8. [6 月]
23. C. Y. Chou, N. Kaurav, Y. K. Kuo*, D. H. Kuo, Electrical properties of A/B-site substituted Ni-deficient La(Ni0.6Fe0.3)O3 perovskites, J. Appl. Phys., 103, 093716 (2008) [5 月].
24. D. H. Kuo* and Y. W. Kao, The Mn effect on the ferroelectric performance of the donor-substituted ABi4Ti4O15-based thin films, Appl. Phys. Lett. 92, 202907 (2008). [5 月].
25. D. H. Kuo* and M. Y. Su, “The effects of hydrogen and temperature on the growth and microstructure of carbon nanotubes obtained by the Fe(CO)5 gas phase-catalytic chemical vapor deposition,” Surface and Coating Technology, 201, 9172-9178 (2007). [9 月]
26. D. H. Kuo* and K. C. Huang, “Characterizations of Gd(Fe1−xInx)O3 Films Prepared by Chemical Solution Deposition,” Electrochem. Solid-State Lett., 10[8] G47 (2007). [8 月]
27. 郭東昊*、張怡君，氧化劑添加對(Bi3.15Nd0.85)4Ti3O12 鐵電薄膜性質之改善，工程科技通訊，92 (2007) 87-90。[6 月].
28. Y. C. Chang and D. H. Kuo*, “The improvement in ferroelectric performance of (Bi3.15Nd0.85)4Ti3O12 films by the addition of hydrogen peroxide in a spin-coating solution,” Thin Solid Films, 515 (2006) 1683-1687. [12 月] doi:10.1016/j.tsf.2006.06.024
29. Y. C. Chang and D. H. Kuo*, “Effect of incorporating nonlanthanoidal Indium on the ferroelectric performance of Bi4Ti3O12 thin films,” Appl. Phys. Lett. 89, 072903 (2006). [8 月]
30. D. H. Kuo*, M. Y. Su, and W. R. Chen, “Fast Rate Growth of Organized Carbon Nanotubes by CVD Using Iron Pentacarbonyl as Gas-Phase Catalyst,” Chem. Vap. Deposition, 12 [6] (2006) 395-402. [6 月]
31. Y. C. Chang and D. H. Kuo*, “Nonlanthanoid indium-substituted Bi4Ti3O12 films with large remanent polarization and fatigue endurance,” Electrochemical and Solid-State Letters, 9 (6) F41-F44 (2006). [6 月]
32. D. H. Kuo* and M. Y. Su, “Growth and kinetic modeling of Fe(CO)5-catalyzed carbon nanotubes grown by chemical vapor deposition”, J. Electrochem. Soc. 153 (4) J21-25 (2006).[4 月]
33. D. H. Kuo* and W. R. Chen, “Growth and Properties of Amorphous Thin Films of the Al2O3-Y2O3 system” Thin Solid Films, 497 [1-2] (2006) 65-71. [2 月]
34. D. H. Kuo*, C. H. Wang, and W. P. Tsai, “Donor- and acceptor-cosubstituted BaTiO3 for nonreducible multilayer ceramic capacitors” Ceramics International, 32 (2006) 1-5 [1 月]. doi:10.1016/j.ceramint.2004.11.015.
35. D. H. Kuo* and W. C. Tseng, “Growth and properties of CVD Ti-P-O films obtained from the CO2/H2-added and CO2/H2-free systems,” J. Electrochem. Soc. 152 [10] (2005) F171-F177. [11月].
36. D. H. Kuo* and W. C. Tseng, “Amorphous Ti-P-O films grown with four-component chemical
vapor deposition,” Materials Chemistry and Physics, 93 [2-3] (2005) 361-367 [10 月].doi:10.1016/j.matchemphys.2005.03.023
37. D. H. Kuo*, C. N. Shueh, “Properties of aluminum titanate films prepared by chemical vapor deposition under different aluminum butoxide inputs,” Thin Solid Films, 478 (2005) 109-115.[5 月]
38. T. Y. Chiou, D. H. Kuo*, “Th4+ donor/Mg2+ acceptor－cosubstituted (Bi,Nd)4Ti3O12 films with excellent ferroelectric properties,” Appl. Phys. Lett. 86, 032910 (2005). [1 月]. IF = 4.308.
39. D. H. Kuo*, C. C. Lai, T. Y. Su, “Dielectric behaviors of Nb2O5-doped TiO2/epoxy thick films” Ceramics International, 30 (2004) 2177-2181. [10 月]. IF = 0.704.
40. T. Y. Chiou, D. H. Kuo*, “Pure Bi4Ti3O12 thin films with improved ferroelectric properties” Appl. Phys. Lett. 85 [15] (2004) 3196-3198. [10 月]. IF = 4.308.
41. D. H. Kuo* and W. C. Tseng, “Growth and properties of chemical-vapor-deposited Ti-P-O films grown under CO2- and H2-existing conditions,” J. Non-Crystalline Solids, 337 (2004) 115-120. [7 月]. IF = 1.563
42. D. H. Kuo* and K. H. Tzeng, “Characterization and properties of rf-sputtered thin films of the alumina-titania system, Thin Solid Films, 460 [1-2] (2004) 327-334. [7 月] IF = 1.598
43. D. H. Kuo*, C. C. Chang, T. Y. Su, W. K. Wang, and B. Y. Lin, "Dielectric Properties of Three Ceramic/Epoxy Composites," Mater. Chem. Phys. 85 (2004) 201-206. [5 月]. IF = 1.183.
44. D. H. Kuo*, C. N. Shueh, “Properties of CVD alumina-titania composite films grown at different CO2/H2 inputs,” J. of Non-Crystalline Solids, 336 (2004) 120-127. [4 月]. IF = 1.563
45. 郭東昊*、薛正男，化學氣相沉積二氧化鈦與鈦酸鋁薄膜成長與性質研究，工程科技通訊，72 (2004) 73-77。[2 月].
46. 郭東昊*、薛正男、蘇美雲，於CO2/H2 輸入條件下，以低溫化學氣相沈積法製備奈米級銳鈦礦結構的TiO2 薄膜及其性質研究，陶業季刊 23 [1] (2004) 9-19. [1 月].
47. D. H. Kuo*, C. N. Shueh, “Growth of CVD aluminum titanate films at different CO2/H2 and aluminum butoxide inputs,” J. Vac. Sci. Technol. A, 22 [1] 151-157, 2004. [1 月/2 月]. IF =1.628. Cited : 1
48. D. H. Kuo*, K. H. Tzeng, and C. H. Chien, “Characterization of nonstoichiometric TiO2 and ZrO2 thin films stabilized by Al2O3 and SiO2 additions,” J. Vac. Sci. Technol. A, 21 [6] (2003) 1996-2002. [11 月/12 月]. IF = 1.628.
49. D. H. Kuo*, C. N. Shueh, “Growth and properties of TiCl4-derived CVD titanium oxide films at different CO2/H2 inputs,” Chemical Vapor Deposition, 9 [5] (2003) 265-271. [10 月]. IF=2.071. Cited : 3
50. D. H. Kuo*, B. Y. Cheung, and Ren-Jye Wu, "Amorphous aluminum silicate films by metal-organic chemical vapor deposition using aluminum-tri-sec-butoxide and tetraethyl orthosilicate," J. of Non-Crystalline Solids, 324 (2003) 159-171. [8 月]. IF = 1.563 Cited : 2
51. D. H. Kuo*, B. Y. Cheung and R. J. Wu, "Growth and Properties of Aluminum Silicate Films Obtained by Low-Pressure Metal-Organic Chemical Vapor Deposition," J. the Am. Ceram. Soc., 86 (2003) 969-974. [6 月]. IF = 1.532. Cited : 2
52. D. H. Kuo*, C. H. Chien, “Growth and properties of sputtered zirconia and zirconia-silica thin films,” Thin Solid Films, 429 (2003) 40-45. [4 月]. IF = 1.598 Cited : 1
53. D. H. Kuo* and K. H. Tzeng, "Growth and Properties of Titania and Aluminum Titanate Thin Films Obtained by RF Magnetron Sputtering," Thin Solid Films, 420-421 (2002) 497-502. [12月]. IF = 1.598. Cited : 4
54. D. H. Kuo*, C. H. Chien, and C. H. Huang, "Zirconia and Zirconia-silica Thin Films Deposited by Magnetron Sputtering," Thin Solid Films, 420-421 (2002) 47-53. [12 月]. IF =1.598 Cited : 1
55. D. H. Kuo* and W. C. Liao, "A new class of Ti-Si-C-N coatings obtained by chemical vapor deposition, Part III: 650-800oC process" Thin Solid Films, 419 (2002) 11-17. [11 月]. IF =1.598.
56. D. H. Kuo* and W. C. Liao, "Ti-N, Ti-C-N, Ti-Si-N Coatings obtained by APCVD at 650-800C," Applied Surface Science, 199 (2002) 278-286. [10 月]. IF = 1.284.
57. D. H. Kuo* and B. Y. Cheung, "Growth behaviors of low-pressure MOCVD aluminum silicate films deposited with two kinds of silicon sources: hexamethyldisilazane and tetraethyl orthosilicate," J. Vac. Sci. Technol. A 20 [5] 1511-1516, 2002. [9 月/10 月], IF = 1.628.
58. D. H. Kuo, B. Y. Cheung and R. J. Wu, "Growth and Properties of Alumina Films Obtained by Low-Pressure Metal-Organic Chemical Vapor Deposition," Thin Solid Films, 398-399 (2001) 35-40. [11 月], IF = 1.598.
59. D. H. Kuo*, C. C. Chang, T. Y. Su, W. K. Wang, and B. Y. Lin, "Dielectric behaviors of multi-doped BaTiO3/epoxy composites," J. Europ. Ceram. Soc. 21 (2001) 1171-1177. [9 月]
60. D. H. Kuo* and K. W. Huang, "A New Class of the Ti-Si-C-N Coatings by Chemical Vapor Deposition, Part I: 1000C Process," Thin Solid Films, 394 (2001) 72-80. [8 月], IF = 1.598.
61. D. H. Kuo* and K. W. Huang, "A New Class of the Ti-Si-C-N Coatings by Chemical Vapor Deposition, Part II: Low-Temperature Process," Thin Solid Films, 394 (2001) 81-89. [8 月], IF= 1.598.
62. D. H. Kuo* and K. W. Huang, "Kinetics and Microstructure of TiN Coatings by CVD," Surf. Coat. Technol. 135 (2001) 150-157. [1 月] IF = 1.410.
63. D. H. Kuo* and D. G. Yang, "Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition of Silicone Carbonitride using Hexamethyldisilazane and Nitrogen," Thin Solid Films, 374 (2000)92-97.[10 月], IF = 1.598.
64. D. H. Kuo* and D. G. Yang, "Thick SiO2 films obtained by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition using Hexamethyldisilazane, carbon dioxide, and Nitrogen," J. Electrochem. Soc.,147 (7) (2000) 2679-2684. [7 月], IF = 2.361.
65. D. H. Kuo and W. M. Kriven*, "Fracture of Oxide Laminates," Mater. Sci. Eng. A, 241(1998) 241-250. [1 月]
66. D. H. Kuo and W. M. Kriven*, "Mechanical Properties and Microstructure of SiC and SiC/TiB2, " J. of the Europ. Ceram. Soc.,18 (1998) 51-57. [1 月]. IF = 1.248.
67. D. H. Kuo, W. M. Kriven* and T. J. Mackin, "Control of Interfacial Properties through Fiber Coatings: Monazite Coating in Oxide/Oxide Composites," J. Am. Ceram. Soc., 80 (1997)2987-2996. [12 月]
68. D. H. Kuo and W. M. Kriven*, Microstructure and mechanical evaluation of yttrium phosphate-containing and lanthanum phosphate-containing zirconia laminates, Ceramic Engineering and Science Proceedings, 18 (4 B), pp. 129-136.
69. D. H. Kuo and W. M. Krive*n, "A Strong and Damage-Tolerant Oxide Laminate," J. Am Ceram. Soc., vol. 80 (1997) 2421-2424. [9 月]
70. D. H. Kuo and W. M. Kriven*, "Chemical Stability, Microstructure, and Mechanical Behavior of LaPO4-Containing Ceramics," Mater. Sci. Eng. A, 210 (1996) 123-134. [6 月]
71. D. H. Kuo and W. M. Kriven*, Oxide laminates with high strength and work-of-fracture, Materials Research Society Symposium – Proceedings, 458, pp. 477-488.
72. D. H. Kuo and W. M. Kriven*, "Microstructure and Mechanical Response of Lanthanum Phosphate/Yttrium Aluminate and Yttrium phosphate/Yttrium Aluminate Systems," Ceram. Sci. Eng. Proc., 17B [4] (1996) 233-240. [1 月]
73. D. H. Kuo and W. M. Kriven*, "Characterization of Yttrium Phosphate and a Yttrium Phosphate/Yttrium Aluminate Laminate," J. Am. Ceram. Soc., 78 (1995) 3121-3124. [11 月]
74. C. M. Huang, D. H. Kuo, Y. J. Kim, and W. M. Kriven*, "Phase Stability of Chemically Derived Enstatite (MgSiO3) Powder," J. Am. Ceram. Soc., 77 [10] (1994) 2625-2631. [10 月]
75. D. H. Kuo*, D. J. Cheng, W. J. Shyy, and M. H. Hon, "The Effect of CH4 on CVD beta-SiC Growth," J. Electrochem. Soc., 137 [11] (1990) 3688-3692. [11 月]
76. R. J. Lin*, D. H. Kuo and P. T. Wu, "Effect of Tl Source on Growth of Tl-Ba-Ca-Cu-O Films by Diffusion Process," IEEE Transaction on Magnetics, 127 [2] (1991) 1564-1567.
77. D. J. Cheng*, W. J. Shyy, D. H. Kuo, and M. H. Hon, “Growth Characterization of CVD Beta-Silicon Carbide,“ J. Electrochem. Soc., 134 [12] 3145-3149 (1987).

研討會論文

1. Dong-Hau Kuo, Wei-Ting Shen, Effects of Bilayer Catalysts and its Preannealing on the Growth of GaN Nanowires, IEEE International NanoElectronic Conference (INEC2010), Paper No. FP445, Jan.3~8, 2010, Hong Kong, China.
2. Dong-Hau Kuo, Wei-Di Haung, Ying-Sheng Huang, Jiun-De Wu, and Yan-Jih Lin, Single-step sputtered Cu2SnSe3 films using the targets composed of Cu2Se and SnSe2, International Thin Films Conference (TACT 2009), Paper No. A055-P, Dec. 14-16, 2009, Taipei, Taiwan. Poster Paper Award in Section A: Coatings for energy conversion. (海報論文佳作).
3. Dong-Hau Kuo, Effects of Multi-catalysts on the Growths of 1-D Nanomaterials, ITS-Taiwan Tech Workshop for Advanced Engineering Technology, November 11, 2009, Surabaya,Indonesia.
4. Dong-Hau Kuo, Ren-Kae Shiue, Hon-Li Hsu, Tuo-Yun Jian, Tan-Nan Lin, Maw-Chwain Lee, Ming-Hsiung Wei, PEN-embedded SOFCs with gradient interconnects, International Symposium on Advanced Ceramics and Technology for Sustainable Energy Applications (ACTSEA 2009), P. 79-80, Nov. 1-4, 2009, Taipei, Taiwan.
5. D. H. Kuo, W. D. Haung, Y. S. Huang, J. D. Wu, and Y. J. Lin, Effect of post-deposition annealing on the performance of D.C. sputtered Cu2SnSe3 thin films, The 7th Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering, Paper No. P2009-343, 9/20~9/25,Busan, Korea, 2009.
6. 唐超、郭東昊、鄭如茵，溫度控制成長硫化鋅奈米線與其光學性質，2009 材料學會年會， 論文編號08-766：，98 年11 月26~28，國立東華大學。
7. 黃瑋迪、郭東昊，濺鍍法製備硒化銅錫薄膜與其特性分析，，2009 材料學會年會，論文編號：01-765，98 年11 月26~28，國立東華大學。
8. 劉慶霖、郭東昊、鄭如茵，利用化學氣相沉積法於複合觸媒上成長奈米碳管，2009 陶業研究學會學術論文發表會，論文編號：E17，98 年05 月22 日，台灣科技大學。
9. 唐超、郭東昊、鄭如茵，溫度控制製備高純度硫化鋅一維奈米材料，2009 陶業研究學會學術論文發表會，論文編號：D36，98 年05 月22 日，台灣科技大學。
10. 沈威廷、郭東昊，以化學氣相沉積法成長氮化鎵一維奈米材料，2009 陶業研究學會學術論文發表會，論文編號：B27，98 年05 月22 日，台灣科技大學。
11. 黃瑋迪、郭東昊，銅錫硒化合物(Cu2SnSe3)薄膜製備與分析，2009 陶業研究學會學術論文發表會，論文編號：A45，98 年05 月22 日，台灣科技大學。
12. 林子超、郭東昊，鈦-鋁-銦-氧閘極氧化層薄膜製程與顯微結構分析，2009 陶業研究學會學術論文發表會，論文編號：A24，98 年05 月22 日，台灣科技大學。
13. 郭東昊，金屬支撐SOFC 單元電池研製，呈政院能委會委託研究計畫暨國科會與原能會科技學術合作研究計畫成果發表會，論文編號：D10，98 年3 月20 日，龍潭核能研究所。
14. 郭東昊，高低溫型功能梯度熱電材料研究，98 年度產學研合作暨成果發表會研討會，98年11 月27 日，龍潭中科院。
15. 郭東昊、賴忠信，磁控濺鍍法製備閘極氧化層之釓-銦-氧薄膜研究，2008 能源與光電鍍膜科技研討會，論文編號：B47 02-064，97 年12 月5-6 日，明道大學。
16. 郭東昊、高憶雯，以化學溶液法製備改良之(K,Bi)Bi4Ti4O15 陶瓷薄膜及其鐵電性之研究，2008 年材料學會年會，論文編號：P06-005 ，97 年11 月21-22 日，台北科技大學。
17. D. H. Kuo, Y. C. Chang, The effect of film thickness of indium-substituted (Bi3.35Nd0.65)4Ti3O12 films on ferroelectric performance, The 6th Asian Meeting on Ferroelectrics (AMF-6), Paper No. P-3-2-06, Aug. 2-6, 2008, Taipei, Taiwan.
18. D.H. Kuo, R.K. Shiue, W.Y. Tseng, C.H. Shih, T.Y. Yeh, M.H. Wei, Functionally Gradient 3YSZ-IN713LC Composites, International Conference on Multifunctional Materials and Structures and Their Applications (MFMS 2008), July 28-31, 2008, Hong Kong, China.
19. T.Y. Yeh, D.H. Kuo, R.K. Shiue, Thermal Stress Simulations of SOFC Membrane-electrode Assembly, International Conference on Multifunctional Materials and Structures and Their Applications (MFMS 2008), July 28-31, 2008, Hong Kong, China.
20. 許家瑋、梁家豪、郭東昊，化學氣相法製備氧化銦一維奈米線，2007 能源與光電鍍膜科技研討會，論文編號：#5-22，96 年12 月21-22 日，大同大學。
21. 黃國長、郭東昊，GdFeO3 – GdInO3 鐵電磁功能性陶瓷材料之研究，2007 年材料學會年會，論文編號：P09-002，96 年11 月16-17 日，交通大學。
22. Dong-Hau Kuo, Mei-Yun Su, The effects of hydrogen and temperature on the growth and microstructure of carbon nanotubes obtained by the Fe(CO)5 gas phase-catalytic chemical vapor deposition, Sixteenth European Conference on Chemical Vapor Deposition (EuropCVD-16), 9/16~9/27, Den Haag, The Netherlands, 2007.
23. D. H. Kuo and W. C. Chang, Ferroelectric performance of Bi(Fe0.85Mn0.15)O3 films on different substrates, Materials Today Asia, 9/3~9/5, Beijing, China, manuscript No. : P1-29, 2007.
24. D. H. Kuo*, W. J. Chen, Organized Carbon-Nanotubes Grown by Gas-Phase Catalytic Chemical Vapor Deposition with a Precursor of Iron Pentacarbonyl, the 2nd International Conference on Advances in Petrochemicals and Polymers (ICAPP 2007), 6/25~6/28, Bangkok,
Thailand, manuscript No. : CA-296, 2007.
25. 蔣國璋、郭東昊，射頻濺鍍法製備銦摻雜之鉍鈦氧薄膜之研究，2006 年材料學會年會，論文編號：P03-065，95 年11 月24-25 日，成功大學。
26. 劉子正、蔣國璋、郭東昊，射頻濺鍍法製備多重摻雜之鉍鈦氧薄膜及其鐵電性質之研究，2005 薄膜與奈米科技研討會，論文編號：BP-07，94 年12 月23-24 日，南投縣日月潭青年活動中心。
27. 池秉貞、郭東昊，射頻濺鍍法製備多重摻雜之鉍鈦氧薄膜及其鐵電性質之研究，2005 年材料學會年會，論文編號：2-5-P-009，94 年11 月25-26 日，淡江大學。
28. 郭 建 麟、郭東昊，射頻濺鍍法製備改質之鉍鈦氧薄膜及其鐵電性之研究，2005 年材料學會年會，論文編號：2-5-P-010，94 年11 月25-26 日，淡江大學。
29. 郭東昊、張怡君，銣摻雜量對Bi4-xNdxTi3O12 薄膜性質之影響，2005 年材料學會年會，論文編號：2-5-P-019，94 年11 月25-26 日，淡江大學。
30. 郭東昊、張怡君，以改良型化學法於不同基板製備Bi3.15Nd0.85Ti3O12 薄膜之性質研究，2005年材料學會年會，論文編號：2-5-P-020，94 年11 月25-26 日，淡江大學。
31. 郭東昊、張怡君，非鑭系元素摻雜對 Bi4Ti3O12 薄膜性質之影響，2005 年材料學會年會，論文編號：2-5-P-021，94 年11 月25-26 日，淡江大學。
32. 蘇美雲、郭東昊，研究氣相金屬觸媒法製備奈米碳管之成長動力學，2005 年材料學會年會，論文編號：4-2-P-063，94 年11 月25-26 日，淡江大學。
33. D. H. Kuo, M. Y. Su, and W. R. Chen, Organized carbon-nanotubes grown by chemical vapordeposition with a gas-phase catalyst of iron pentacarbonyl, 2005 5th IEEE Conference on Nanotechnology 2, art. no. 1500849, pp. 841-844.
34. 郭東昊、蘇美雲、陳維容，以氣相金屬觸媒傳輸法製備奈米碳管及其於儲氫之應用，國科會與原能會科技學術合作研究計劃，93 年度成果發表會，94 年6 月9 日，桃園龍潭核能研究所。
35. D. H. Kuo and W. R. Chen, Effect of process conditions on the fformation of carbon nanotubes by gas-phase catalytic CVD, Oral C-24, The 3rd Asia Conference on Chemical Vapor Deposition, Nov. 12-14, 2004, Taipei, Taiwan.
36. 邱太乙、郭東昊，針對Bi4Ti3O12 薄膜進行鐵電性質的改良，2004 年材料學會年會，論文編號：PB3-02，93 年11 月17-18 日，新竹縣竹東鎮工業技術研究院。
37. 吳俊德、郭東昊，溶膠-凝膠法製備多重摻雜鈦酸鍶鋇塊材之介電性質研究，2003 年材料學會年會，論文編號：E2，92 年11 月21-22 日，台南縣永康市崑山科技大學。
38. 曾文政、郭東昊，化學氣相沈積Ti-P-O 鍍膜之成長特性及其性質研究 (I)，2003 年材料學會年會，論文編號：G10，92 年11 月21-22 日，台南縣永康市崑山科技大學。
39. 郭東昊、劉厚堅、張世邦、陳維容、邱太乙，中高溫型燃料電池陶瓷電解質的開發與研究，2003 年燃料電池產學研發成果研討會，p.185-188，92 年10 月17 日，國立台灣大學。
40. 吳俊德、郭東昊，具有高介電率與極低介電溫度係數之多重摻雜鈦酸鍶鋇薄膜開發，2003年中華民國鍍膜科技研討會，論文編號：E02，92 年9 月26-27 日，新竹市交通大學。
41. 曾文政、郭東昊，化學氣相沈積Ti-P-O 鍍膜之成長特性及其性質研究 (II)，2003 年中華民國鍍膜科技研討會，論文編號：G10，92 年9 月26-27 日，新竹市交通大學。
42. 蔡文斌、郭東昊，多重摻雜鈦酸鍶塊材之研究，2002 年材料學會年會，91 年11 月22-23日，論文編號：PN-04，國立台灣大學。
43. 薛正男、郭東昊，化學氣相沈積二氧化鈦及鈦酸鋁薄膜成長與性質之研究，2002 年材料學會年會，91 年11 月22-23 日，論文編號：PK-02，國立台灣大學。
44. 賴欽詮、郭東昊，異質摻雜二氧化鈦薄膜之研究，2002 年中華民國鍍膜科技研討會，91 年8月30-31 日，論文編號：C23，頁數：253-256，台南縣永康市崑山科技大學。
45. 莊伯佑、郭東昊，以 TEOS 為矽源製備MOCVD 矽酸鋁薄膜，2002 年中華民國鍍膜科技研討會，91 年8 月30-31 日，論文編號：C07，頁數：185-188，台南縣永康市崑山科技大學。
46. 郭東昊、曾國華，Growth and Properties of Titania and Aluminum Titanate Thin Films obtained by Magnetron Sputtering, Int’l Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films (ICMCTF 2002), Apr. 22-26, San Diago, CA, USA (2002). To be published in Thin Solid Films.
47. 郭東昊、簡吉鴻，Zirconia and Zirconium Silicate Thin Films Deposited by Magnetron Sputtering, Int’l Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films (ICMCTF 2002), Apr.22-26, San Diago, CA, USA (2002). To be published in Thin Solid Films.
48. 曾國華、郭東昊，磁控濺鍍法製備氧化鋁、二氧化鈦與鈦酸鋁薄膜及其性質之研究，2001年材料學會年會，90 年11 月23-25 日，論文編號：P11-01，台中國立中興大學。
49. 簡吉鴻、郭東昊，磁控濺鍍法製備氧化矽、氧化鋯與矽酸鋯薄膜及其性質之研究，2001年材料學會年會，90 年11 月23-25 日，論文編號：P11-02，台中國立中興大學。
50. 廖文傑、郭東昊，化學氣相沉積法製備複雜的四元Ti-Si-C-N 鍍膜，2001 年中華民國鍍膜科技研討會，90 年8 月30-31 日，中華民國鹿港勞工教育學苑。
51. 郭東昊、莊伯佑、吳仁傑，Growth and Properties of Alumina Films Obtained by Low-Pressure Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, Int’l Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films (ICMCTF 2001), Apr. 30- May 4, San Diago, CA, USA (2001). To be published in Thin Solid Films.
52. 郭東昊、廖文傑，Growth and Microstructure of the Quaternary Ti-Si-C-N Coatings by CVD , Int’l Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films (ICMCTF 2001), Apr. 30- May 4, San Diago, CA, USA (2001). To be published in Surface and Coating Technology.
53. 郭東昊，可接著之陶瓷疊層材料於絕熱塗層上之研究 (II)，八十九年度電力科技產業學術合作研究計劃研討會，89 年8 月24-25 日，台灣科技大學。
54. 張謙志、郭東昊，蘇德宇、王文谷、林斌淵，平面型複合電容之製備與電性量測，2000年材料學會年會，89 年11 月24-25 日，高雄義守大學。
55. 張謙志、郭東昊、薛人愷、李裕文，鎳/玻璃陶瓷功能梯度材料，2000 年材料學會年會，89 年11 月24-25 日，中華民國高雄義守大學。
56. 莊伯佑、郭東昊，有機金屬化學氣相沈積法成長氧化鋁薄膜及其性質之研究，2000 年材料學會年會，89 年11 月24-25 日，中華民國高雄義守大學。
57. 楊東記、郭東昊，電漿化學氣相沈積SiO2薄膜成長動力學與性質之研究，1999 年材料學會年會，88 年11 月26-27 日，中華民國新竹工研院。
58. 黃冠文、郭東昊，化學氣相沈積Ti-Si-C-N 鍍膜之成長特性及其性質研究，1999 年中華民國鍍膜科技研討會，88 年9 月3-4 日，中華民國新竹交通大學。
59. 郭東昊，可接著之陶瓷疊層材料於絕熱塗層上之研究，八十八年度電力科技產業學術合作研究計劃研討會，88 年8 月19-20 日，台灣科技大學。
60. D. H. Kuo and C. C. Chang, "A Fiber-Reinforced Composite with Ultra-Low Thermal Expansion, " Ceramic Transaction, vol. 103, Edited by N. P. Bansal, J. P. Singh, and E. Ustundag, the Am. Ceram. Soc. (1999) 395-406 (Ceramic Annual Meeting, Apr. 24-Apr. 28, Indianapolis, IN, USA, 1999).
61. D. H. Kuo, 應用纖維推出測試法研究陶瓷纖維複合材料的界面機械性質, Proceedings of the 1997 Annual Conference of the Chinese Society for Materials Science, Vol.C, p.69-72, 86年11 月21-22 日，台南國立成功大學。
專利
1. 郭東昊，王志弘，具有高介電率及低介電溫度係數的陶瓷電容材料，中華民國發明專利，專利證書號碼：發明第I 246996 號，公告編號: 。核准日期：94 年 月 日。專利權期間：95 年01 月01 日至111 年6 月13 日。
2. 郭東昊，王志弘，Ceramic Materials for Capacitors with a High Dielectric Constant and a Low Capacitance Change with Temperature, Patent No. US 6,734,127 B2, Date of Patent: May 11,2004.
3. 郭東昊，薛人愷，張謙志，李裕文，絕熱型金屬/玻璃陶瓷功能性梯度材料，中華民國發明專利，專利證書號碼：發明第一六八七零六號，公告編號: 512138。核准日期：91 年12月01 日。專利權期間：91 年12 月01 日至108 年9 月29 日。
4. 郭東昊，全永夫，具有極高介電率之鈦酸鋇電子陶瓷，中華民國發明專利，專利證書號碼：發明第一五一三八二號，公告編號: 476733。核准日期：91 年2 月21 日。專利權期間：91 年2 月21 日至108 年9 月29 日。
5. W. M. Kriven and D. H. Kuo, A High-Strength, High Toughness Oxide Ceramic Composite, US patent No. US5948516, Sep., 1999.
研究計畫
  • A/B晶格摻雜鍶鉍鈦氧系列鐵電薄膜之研究主持人 96/8~99/7 NSC
  • 梯度ZrO2-IN713LC超合金之硬銲接合技術研究主持人 96/2~96/11 中科院化學所
  • 金屬支撐SOFC單元電池研製(NSC 96-2623-7-259-003-NU)主持人 96/1~97/12
  • (兩年計畫) NSC:經濟部核能所能源計畫
  • 鐵電磁功能性陶瓷材料之開發(NSC 95-2221-E-259-009-MY2) 主持人 95/8~97/7(兩年計畫)  NSC
  • (YSZ-20%奈米Al2O3)-SUS 422功能梯度結構材料開發主持人 95/2~95/11 中科院化學所
  • 新型抗鐵電疲勞之鉍系層狀類鈣鈦礦薄膜之開發(NSC 94-2216-E-259-005-)主持人94/8~95/7 NSC
  • 抗鐵電疲勞的鉍系層狀類鈣鈦礦薄膜之摻雜與性質研究(NSC 93-2216-E-259-004- )主持人 93/8~94/7  NSC:經濟部核能所能源計畫
  • 以氣相金屬觸媒傳輸法製備單壁奈米碳管及其儲氫之應用(NSC 93-2623-7-259-001-NU)主持人 93/1~93/12 NSC
  • 以旋轉塗佈法製備施體-受體共摻雜的鐵電(Sr1-xLax)Bi2(Ta2-xTix) O9薄膜及其性質之研究(NSC 92-2216-E-259-003-)主持人 92/8~93/7  NSC
  • 具有極低介電溫度係數、高介電率鈦酸鋇之奈米製程及應用開發(NSC 91-2216-E-259-003-)主持人 91/8~92/7  NSC

 


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