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一種薄膜濺鍍技術可製作p型GaN為主的III-nitride半導體薄膜
 
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技術名稱
Technology
一種薄膜濺鍍技術可製作p型GaN為主的III-nitride半導體薄膜
發明人
Inventor
郭東昊, 李成哲,
所有權人
Asignee
國立臺灣科技大學

專利國家
Country
申請號
Application No.
專利號
Patent No.
中心案號
Serial No.
中國 201410192857.8 2610537 1020116CN0
 
點閱數:230
技術摘要:
本發明提出一種薄膜濺鍍技術,此技術所使用的靶材,其組成以GaN為主,另外還包含兩種以上之金屬組成,利用改變靶材組成,摻雜Cu、Mg、Zn等金屬,可以濺鍍出p型GaN、AlGaN、InGaN等半導體薄膜。靶材組成設計是主要關鍵,其中金屬組成除了要考慮材料性質外,還需考量靶材緻密化能力與金屬合金化的能力,如此才能製作出p型GaN為主相之半導體薄膜。此類濺鍍製程所得薄膜,可部分取代傳統MOCVD製造LED所需以GaN為主相之III-nitride薄膜,也可應用於需要III-nitride的薄膜電子元件。


 
   




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