國立台灣科技大學-專利商品網-專利技術-一種多層膜矽/碳複合陽極材料結構

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技術名稱 Technology

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發明人 Inventor

森達宏, 陳致融, 洪太峰, 沙德, 劉如熹, 胡淑芬, 林弘正, 林逸樵, 宋健民, 黃炳照,

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所有權人 Asignee

國立臺灣科技大學

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專利國家 Country	申請號 Application No.	專利號 Patent No.	中心案號 Serial No.
中國	201410298530.9	CN104253266B	1020059CN0

點閱數：119

技術摘要：

本發明乃提出具高電化學特性之碳/矽多層膜複合陽極材料，藉石墨烯高導電性之優點改善矽材料之電化學特性，並將薄膜厚度皆控制於100 nm以下而可降低於充放電過程中之體積變化，且此料首先於銅箔電流收集器表面沉積石墨烯薄膜，避免電流收集器與矽薄膜之導電度差異過大而造成電化學表現不佳，此外為防止矽薄膜因接觸空氣而氧化成不具活性之二氧化矽，故此材料最後一層固定為石墨烯薄膜。

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