本專利為一種應用於EUV/SXR光源螢光偵測的閃爍片，例如Fluorescent Nanodiamond、YAG:Ce、(LaCeTb)PO₄:Ce、ZnO、Tb phosphors，不僅提升閃爍片的熱傳導性，亦具備優異的抗輻射性與穩定的螢光特性。近期研究亦證實，將閃爍體噴塗於1吋直徑的玻璃基板上作為簡易EUV閃爍片，並以CMOS背向收集螢光方式，可成功偵測EUV（波長13.5 nm）激發產生的紅色可見光（波長576 nm）訊號。然而，紫外光易被金屬／非金屬氧化物與樹脂等常見光學材料吸收，導致閃爍體無法與接著劑混合噴塗，目前僅能以高揮發性稀釋液（如甲醇）進行電噴灑（electrospray deposition）。由於難以使用傳統工法達到鍍膜厚度均勻化，造成螢光濃度差異，進而影響量測精度。因此，整體採用雙層多孔性陽極氧化鋁（PAA）作為穿孔光學結構窗，製成具粒子阻擋功能的穿孔光學結構窗（Perforated Optical Window with Particle Barrier Capability, POW/PBC）；結合旋轉對貼設計，使閃爍體在高厚度處分散至低厚度處，最終均勻填滿結構窗間隙，使最終閃爍體在孔洞間均勻分佈並穩固固定。此結構不僅提升光學訊號收集效率，並增強材料抗剝落與長期穩定性，屬於可搭配多種感測模組的被動型光轉換基板，具備低成本、高耐輻射、高靈敏度等特點。
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