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技術名稱 Technology
發明人 Inventor
陳瑞山, 王智祥,
所有權人 Asignee 國立臺灣科技大學

專利國家 Country 申請號 Application No. 專利號 Patent No. 中心案號 Serial No.
中華民國 114119275 申請中 1130052TW0
中國 202510816512.3 申請中 1130052CN0
日本 2025-115280 申請中 1130052JP0
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技術摘要:
本發明揭露一種可在室溫運作的高效能紅外熱偵測器的設計與製造方法。本偵測器使用高電子遷移率且電子與電洞遷移率差異極大的半導體材料,照光後自發性地產生光電壓與光電流,因此不需要用到傳統同質與異質二極體的內建電場,但仍擁有零偏壓操作的自供電特性。另因本技術原理是建立在電子的熱速度,需要熱能輔助所以特別適合室溫操作,因此也不會有現行使用低能隙半導體材料(例如:InSb或HgCdTe) 二極體元件的高漏電流問題。本發明不僅大幅地縮小傳統中遠紅外光偵測器的體積與重量,還省下了降溫系統所需的成本,將可大大地增加中遠紅外光偵測器的應用範圍。

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