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技術名稱 Technology
發明人 Inventor
王復民,
所有權人 Asignee 國立臺灣科技大學

專利國家 Country 申請號 Application No. 專利號 Patent No. 中心案號 Serial No.
中華民國 113110021 申請中 1120084TW0
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技術摘要:
本案採用常壓式大氣電漿進行氮化銅表面改質銅箔,在第一次充電之後可以形成奈米級氮化鋰保護層,此保護層可以有效提升鋰沉積的反應性以及成長型態。根據研究結果指出,未經處理的銅箔用於鋰沉積的初始庫倫效率為77.37%,而氮化鋰保護層的銅箔的鋰沉積初始庫倫效率可以提升至81.07%。並且在使用經過奈米級氮化鋰披覆的銅箔所組成的全電池系統中,在循環壽命圈數亦可以提供較未經過奈米級氮化鋰披覆的電池系統高出2~7%的電容量,這代表本案所利用常壓式大氣電漿進行氮化銅表面改質確實可以製造穩定且高初始庫倫效率以及循環壽命等性能表現。

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