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技術名稱 Technology
發明人 Inventor
陳瑞山, 王智祥,
所有權人 Asignee 國立臺灣科技大學

專利國家 Country 申請號 Application No. 專利號 Patent No. 中心案號 Serial No.
中華民國 112144389 申請中 1120066TW0
美國 18/423,315 申請中 1120066US0
歐盟 24165893.9 申請中 1120066EU0
日本 2024-054341 申請中 1120066JP0
中國 202410402236.1 申請中 1120066CN0
  點閱數:115

技術摘要:
本發明揭露一種高效能光偵測器的新型設計與製造方法。本偵測器使用高電子遷移率且電子與電洞遷移率差異極大的半導體或半金屬材料,照光後自發性地將位於材料與電極介面處的光生電子與電洞分離,進而產生光電流,因此不需要用到傳統半導體的PN接面或是半導體與金屬的蕭特基接面所產生的內建電場,但仍擁有零偏壓操作的自供電特性。因為負責吸收光子的半導體或半金屬材料內無照光時沒有任何外加電場,也不需要內建的電場,因而光登伯光偵測器既使設計在中波長紅外光(3~5 m)或長波長紅外光(8~12 m),也不會有現行使用低能隙半導體材料(例如:InSb或HgCdTe) PN接面光偵測器元件的高暗電流缺點。故不像現行的中-長波長紅外光偵測器通常需要降溫至液態氮的溫度(約攝氏零下196度)才能運作,任何波長的光登伯光偵測器皆可直接於室溫下操作。本發明不僅大幅地縮小傳統中遠紅外光光偵測器的體積與重量,還完全省下了降溫系統所需的成本,將可大大地增加中遠紅外光光偵測器的各種應用範圍。

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