專利商品網


    快速搜尋        


 
技術名稱 Technology
發明人 Inventor
張志宇, 金怡伶, 黃昕皓, 張淳雅,
所有權人 Asignee 國立臺灣科技大學

專利國家 Country 申請號 Application No. 專利號 Patent No. 中心案號 Serial No.
中華民國 112114172 申請中 1110069TW0
  點閱數:166

技術摘要:
我們利用非富勒烯材料 N,N'-bis[3-(dimethylamino)propyl] perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic diimide (PDIN)做為陰極界面層實現了相當優異的光感測性能,然而,我們發現其元件之穩定度極差。此穩定性不佳歸因於當鈣鈦礦劣化時會產生離子缺陷,導致鈣鈦礦中的碘離子會游離至頂端銀電極,形成不導電的Ag-I,從而使元件的穩定度下降。為改善此問題,我們利用 2,6-dibromoN,N'-bis(2-ethylhexyl)-1,8:4,5-naphthalenetetracarboxdiimide (NDI-EH-Br2) 分子成功抑制了元件中的不穩定性,由於 NDI-EH-Br2 分子周圍有許多強拉電子基,這促使分子中心的苯環極缺電子,藉此特性可捕捉由鈣鈦礦降解時游離出來之碘離子,從而提升元件之穩定度。此元件於大氣環境中 174 小時後其響應度幾乎沒有下降,且在熱穩定度方面也表現得相當優異。

相關圖片: