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技術名稱 Technology
發明人 Inventor
彭盛裕, 王元川, 黃筠傑, 楊修旻, 李修竹,
所有權人 Asignee 國立臺灣科技大學

專利國家 Country 申請號 Application No. 專利號 Patent No. 中心案號 Serial No.
中華民國 113100393 申請中 1110034TW0
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技術摘要:
此快速類比記憶體編程之積體電路與系統主要由懸浮閘電晶體組成,利用熱載子注入效應與穿隧效應的機制來對電荷進行擦拭與注入,而為了能達成快速並且能擁有較高精準度,利用負回授之特性,藉由負回授將負電荷幫浦之輸出電壓進行調節與回穩,以此方式控制所需注入之電荷量,並利用上述方式量測熱載子注入效應之結果,透過特徵化的方式來預測所需之電壓差,最後為了達成快速編程,藉由有限狀態機對所需注入之時間與電壓進行控制,並有效節省所需執行的程式碼,如此一來,編成一顆類比記憶體所需要花費平均10毫米的時間。

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