國立台灣科技大學-專利商品網-專利推廣清單-互補式金屬氧化物半導體非揮發性記憶串並列介面電路

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技術名稱 Technology

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發明人 Inventor

彭盛裕, 賴麒安, 李鏘璽, 王子昀,

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所有權人 Asignee

國立臺灣科技大學

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專利國家 Country	申請號 Application No.	專利號 Patent No.	中心案號 Serial No.	年費有效日期
美國	14/166,869	US9298653B2	1020026US0	2023/09/29
中華民國	102127346	I616756	1020026TW0	2024/02/28

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技術摘要：

這個發明是以懸浮閘電晶體作為非揮發式記憶體，置入於數位系統中必備之串列-並列介面電路中，所有的元件只使用標準CMOS而不需特殊製程。記憶體的讀寫動作使用串列訊號輸入，經過懸浮閘電晶體燒錄程序達到非揮發的目的，記憶體內之儲存資料可再經由串列-並列介面串列輸出，達到檢查及核對之功能。
本發明之電路簡單和所多耗之面積小，並保有原本傳統串列-並列介面電路之功能，非常適用於不需大型記憶體功能之可重組化之積體電路與系統，可降低生製程所需之成本。

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