| ● | 技術名稱 Technology | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ● | 發明人 Inventor |
黃炳照, Shitaw, Kassie, Nigus, 楊盛强, 蘇威年, Teshager, Mekonnen, Tekaligne, | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ● | 所有權人 Asignee | 國立臺灣科技大學 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ● |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 點閱數：746 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 技術摘要： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 本發明提供一種含有金屬的電極電化學裝置，其電解液或電極材料添加酞菁化物，對該電化學裝置進行充放電，使該酞菁化物轉化為含有該過渡金屬的酞菁化合物在正極材料表面、裝置表面，生成有益的正極電解質介面(CEI)，避免過渡金屬離子游離至負極而影響負極表面固態電解質界面 (SEI)生成，增加電化學裝置耐久性。 |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| 相關圖片： |
||||||||||||||||||||||||||||||||
| ||||||||||||||||||||||||||||||||
瀏覽人數：10493577
國立臺灣科技大學 產學處智財技轉中心 10607 台北市大安區基隆路 4 段 43 號 醫揚大樓 4 樓 TEL：02-2730-3244 或 02-2730-3727
2007~2024 © NTUST All Rights Reserved 著作權聲明
本系統採用 
專利行銷平台
