專利商品網


    快速搜尋        

 

     
技術名稱 Technology
發明人 Inventor
彭盛裕, 王元川, 黃筠傑, 楊修旻, 李修竹,
所有權人 Asignee 國立臺灣科技大學

專利國家
Country
申請號
Application No.
專利號
Patent No.
中心案號
Serial No.
年費有效日期
中華民國 113100393 I887952 1110034TW0 2028/06/20
  點閱數:386

技術摘要:
此快速類比記憶體編程之積體電路與系統主要由懸浮閘電晶體組成,利用熱載子注入效應與穿隧效應的機制來對電荷進行擦拭與注入,而為了能達成快速並且能擁有較高精準度,利用負回授之特性,藉由負回授將負電荷幫浦之輸出電壓進行調節與回穩,以此方式控制所需注入之電荷量,並利用上述方式量測熱載子注入效應之結果,透過特徵化的方式來預測所需之電壓差,最後為了達成快速編程,藉由有限狀態機對所需注入之時間與電壓進行控制,並有效節省所需執行的程式碼,如此一來,編成一顆類比記憶體所需要花費平均10毫米的時間。

相關圖片: