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技術名稱 Technology
發明人 Inventor
周賢鎧, 林吉欽, 王浩宇,
所有權人 Asignee 國立臺灣科技大學

專利國家
Country
申請號
Application No.
專利號
Patent No.
中心案號
Serial No.
年費有效日期
中華民國 104133810 I610429 1040070TW0 2023/12/31
  點閱數:1682

技術摘要:
一種互補式電阻式記憶體之製造方法,該方法包括在一基材表面沈積三層膜,再進行熱處理製程。該三層膜層中至少包含一氧化物。該熱處理製程將該三層膜層轉變成五層膜層。該五層膜層具有互補式電阻切換性質。

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