● | 技術名稱 Technology | |||||||||||
● | 發明人 Inventor |
周賢鎧, 林吉欽, 王浩宇, | ||||||||||
● | 所有權人 Asignee | 國立臺灣科技大學 | ||||||||||
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點閱數:1702 |
技術摘要: | ||||||||||||||||||||||||||||||||
一種互補式電阻式記憶體之製造方法,該方法包括在一基材表面沈積三層膜,再進行熱處理製程。該三層膜層中至少包含一氧化物。該熱處理製程將該三層膜層轉變成五層膜層。該五層膜層具有互補式電阻切換性質。 |
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