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技術名稱 Technology
發明人 Inventor
戴龑, 黃炳照, 陳貴賢, 邱楗洺, 林麗瓊,
所有權人 Asignee 國立臺灣科技大學

專利國家 Country 申請號 Application No. 專利號 Patent No. 中心案號 Serial No.
美國 15/011,437 US10003071B2 1030106US0
中華民國 104122770 I607599 1030106TW0
  點閱數:1129

技術摘要:
一種銅鋅錫硫(CuxZnySnzS)化合物特殊奈米結構作為元件電極材料,該特殊奈米結構至少包括兩部分:一個緩衝層及一個奈米牆結構。
1. 本發明提供一種銅鋅錫硫(CuxZnySnzS)化合物奈米結構的製備於適當的基板可為金屬箔、透明導電玻璃、碳材以及有機高分子薄膜。
2. 一種銅鋅錫硫(CuxZnySnzS)化合物奈米結構,至少包括:奈米顆粒、奈米花和奈米牆
3. 如請求項2所述之銅鋅錫硫(CuxZnySnzS)化合物奈米結構,其中該銅鋅錫硫(CuxZnySnzS)化合物奈米結構厚度為500奈米以上至4微米以下。
4. 如請求項2所述之銅鋅錫硫(CuxZnySnzS)化合物奈米結構,其中該銅鋅錫硫(CuxZnySnzS)化合物奈米結構具有親水性。
5. 一種以銅鋅錫硫(CuxZnySnzS)化合物奈米結構作為高效能及具有快速充電的特性之鋰電池的用途,其中該銅鋅錫硫(CuxZnySnzS)化合物奈米結構至少包括:奈米顆粒、奈米花和奈米牆,其中該銅鋅錫硫(CuxZnySnzS)化合物奈米結構具有親水性。
6. 如請求項5所述之以銅鋅錫硫(CuxZnySnzS)化合物奈米結構作為高效能及具有快速充電的特性之鋰電池的用途,其中奈米結構厚度為500奈米以上至4微米以下。
7. 如請求項4或5所述之以銅鋅錫硫(CuxZnySnzS)化合物奈米結構作為高效能及具有快速充電的特性之鋰電池的用途,其中該含特定硫之比例、適當基板及預定溫度及時間。
最後本發明還藉上述方法提供一種特殊奈米結構的銅鋅錫硫(CuxZnySnzS)化合物,其樣品具有較強的光敏性、較高表面積以及較佳的結晶性,藉此提供較多的反應活性及反應面積,當此特殊奈米結構(CuxZnySnzS)化合物應用於水分解的元件上,可發現其光觸媒的特性。並且結合上述提及奈米結構(CuxZnySnzS)化合物的性質當作光電陽極材料及其應用於光充電有極大的可能性。


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