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利用無光罩製程形成半導體結構之方法
 
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技術名稱
Technology
利用無光罩製程形成半導體結構之方法
發明人
Inventor
王孟菊, 陳永欽, 黃彥翔,
所有權人
Asignee
國立臺灣科技大學

專利國家
Country
申請號
Application No.
專利號
Patent No.
中心案號
Serial No.
中華民國 103127227 I 553705 1030048TW0
 
點閱數:264
技術摘要:
一種無光罩製程形成半導體結構之方法,該方法包括以下的步驟: 提供半導體基板,金屬層以濺鍍(或是化學電鍍製程)的方式形成在半導體基板上,光阻層以旋塗方式形成在金屬層上,將具有圖案之高分子層列印在光阻層上,利用紫外光照射具有圖案的高分子層,使得在高分子層上的圖案轉移到金屬層上,以及利用沖提的方式移除在半導體基板上未被高分子層所覆蓋的部分負光阻層。接著,以高分子層及光阻層作為蝕刻遮罩,利用蝕刻的方式移除部分金屬層,且曝露出半導體基板之部分表面、以及利用舉離的方式將具有圖案之高分子層及光阻層移除,以形成具有圖案之金屬層在半導體基板上。


 
   




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