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以電漿輔助化學氣相沉積系統直接於二氧化矽基板成長石墨烯並製作場效應電晶體元件
 
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技術名稱
Technology
以電漿輔助化學氣相沉積系統直接於二氧化矽基板成長石墨烯並製作場效應電晶體元件
發明人
Inventor
蘇偉誌, 李奎毅,
所有權人
Asignee
國立臺灣科技大學

專利國家
Country
申請號
Application No.
專利號
Patent No.
中心案號
Serial No.
中華民國 102127644 I517265 1020033TW0
 
點閱數:725
技術摘要:
本技術主要是以光微影系統於二氧化矽基板上定義我們所需要的通道尺寸圖型,之後於定義在基板上的通道尺寸圖型中蒸鍍一層鎳薄膜做為成長石墨烯的觸媒金屬,將蒸鍍完觸媒金屬的樣品置入電漿輔助化學氣相沉積系統中,確立成長的時間、壓力、溫度及氣體流量,利用電漿環境解離氣體,成長石墨烯於觸媒金屬,成長完成的樣品置於氯化鐵溶液中將觸媒金屬去除,最後留下我們所定義尺寸的石墨烯通道,最後鍍上兩個金屬電極(源極與汲極)就完成以石墨烯做為通道所封裝完成的薄膜場效應電晶體,此技術可以精準的定義通道尺寸,無須繁複製程,是薄膜技術領域的一大突破。


 
   




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