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技術名稱 Technology
發明人 Inventor
黃炳照, 葉昀昇, 蘇威年,
所有權人 Asignee 國立臺灣科技大學

專利國家 Country 申請號 Application No. 專利號 Patent No. 中心案號 Serial No.
美國 14/160,741 US9368790B2 1010119US0
中華民國 102102721 I487177 1010119TW0
中國 201310027598.9 申請中 1010119CN0
美國 15/157,560 US10135072B2 1010119US1
  點閱數:1093

技術摘要:
本技術使用化學方式將矽與石墨烯表面進行改質,並利用電荷吸附法製備出均勻分散之矽/石墨烯複合材料。由於矽奈米粒子無法均勻分散於石墨烯層中,但經過化學改質處理,使矽粒子與石墨烯表面代有電荷,接著利用電荷吸附形成均勻分散結構。而使用簡單電荷吸附可迅速製備出不同矽比例之矽/石墨烯材料。製備出樣品可逆電容量高達1030 mAh/g,到了第150圈電容量仍可能維持於600 mAh/g,呈現較佳的循環穩定性。與文獻上結果比較,利用簡單的電荷吸附法,不需將矽粒子與石墨烯做共價鍵結,即可將矽粒子均勻吸附於石墨烯層中,且避免石墨烯重新堆疊與矽粒子聚集問題,可有效改善其電容量與充放電穩定性。

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