國立台灣科技大學-專利商品網-專利技術-石墨烯-聚偏二氟乙烯之電響應薄膜及其製作方法

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技術名稱 Technology

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發明人 Inventor

洪維松, 黃健翔,

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所有權人 Asignee

國立臺灣科技大學

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專利國家 Country	申請號 Application No.	專利號 Patent No.	中心案號 Serial No.
中華民國	109120699	I830926	1090035TW0
美國	17/317,939	申請中	1090035US0

點閱數：1237

技術摘要：

本創揭露一種Gr-PVDF之電響應結構，其係由以下方式製備而成：
首先製備含有聚偏二氟乙烯類聚合物的母液，再將石墨烯粉體加入以獲得石墨烯-聚偏二氟乙烯類聚合物漿料，並在去除溶劑後直接形成石墨烯-聚偏二氟乙烯之電響應結構。由於本創作的石墨烯-聚偏二氟乙烯之電響應結構具有將非電能量轉換為電能量的效能，同時可藉由多種成膜的方式以形成獨立存在的材料或結合基材的材料，使得本創作的石墨烯-聚偏二氟乙烯之電響應結構不單只應用在單一技術領域，更可藉由能量轉換的特性以整合上述各領域。

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