國立台灣科技大學-專利商品網-專利技術-以三族氮化物發光二極體磊晶晶圓製作光電晶體的方法(只做光電晶體或與發光二極體積體化)

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技術名稱 Technology

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發明人 Inventor

葉秉慧, 許登坡, 邱彥傑,

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所有權人 Asignee

國立臺灣科技大學

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專利國家 Country	申請號 Application No.	專利號 Patent No.	中心案號 Serial No.
美國	16/541,156	US11011666B2	1080033US0

點閱數：942

技術摘要：

以三族氮化物發光二極體磊晶結構的晶圓製作光電晶體的方法，可以只做光電晶體或與發光二極體積體化。特色是高響應率、低成本與可積體化。(This is a novel method to fabricate III-nitride phototransistors alone or integrated with light-emitting diodes on a light-emitting-diode epitaxial wafer. The advantages include high responsivity, low cost and capability of integration.)

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