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技術名稱 Technology
發明人 Inventor
朱瑾, Berhanu, Tulu, Kacha, 張雯琪,
所有權人 Asignee 國立臺灣科技大學

專利國家
Country
申請號
Application No.
專利號
Patent No.
中心案號
Serial No.
年費有效日期
美國 13/850,860 US9006699B2 1010121US0 2022/04/14
  點閱數:1360

技術摘要:
本新穎性之發明關於非晶質鋯基金屬玻璃氧化物薄膜應用於電阻式隨機儲存記憶體,擬用射頻磁控濺鍍儀製備超薄非晶質鋯基金屬玻璃氧化物薄膜於多層膜(Pt/Ti/SiO2/Si)之基板,厚度約為15 nm經由半導體分析儀測試,相較於其他類似的材料大部分皆需要forming process,本材料在沒有forming process的條件下具有雙極性(unipolar)電阻轉換行為(resistance switching behavior),且顯示了電阻比值大於1 order及低操作電壓亦毋需額外的高溫退火特性,尤其在耐久性及持久力實驗中表現出具有高可靠度特性。由此可知,非晶質鋯基金屬玻璃氧化物薄膜具極高潛力應用於電阻式隨機儲存記憶體。

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