● | 技術名稱 Technology | |||||||||||
● | 發明人 Inventor |
何清華, 林旻翰, 李嘉軒, | ||||||||||
● | 所有權人 Asignee | 國立臺灣科技大學 | ||||||||||
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點閱數:1720 |
技術摘要: | ||||||||||||||||||||||||||||||||
本發明是提供一種使用相In2Se3半導體,因為銦元素容易與氧氣結合而在表面形成相In2Se3−3xO3x /相In2Se3之異質結構置於一容置空間內為檢測此容置空間一個氧氣檢測器,再使用短波長雷射去激發未氧化時的相二元化合物及氧化後相三元化合物之激發光譜訊號由顯示單元解析,可以進一步判斷此容置空間使否有氧氣存在,再藉由高功率雷射去轟擊表面可去除表面氧化物還原成未氧化的相二元化合物,此發明可以做為一種在高氧氣環境下的可逆式氧氣檢測器裝置。 |
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