● | 技術名稱 Technology | |||||||||
● | 發明人 Inventor |
朱瑾, 張雯琪, | ||||||||
● | 所有權人 Asignee | 國立臺灣科技大學 | ||||||||
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點閱數:1601 |
技術摘要: | ||||||||||||||||||||||
本發明關於電阻式隨機儲存記憶體之效能提升,擬用射頻磁控濺鍍儀製備超薄非晶質鈧酸鈥薄膜於多層膜(Pt/Ti/SiO2/Si)之基板,厚度約為40 nm和含氧量為51 at.%之鈧酸鈥(HSO)薄膜經由半導體分析儀測試,相較於其他類似的材料大部分皆需要forming,本材料在沒有forming的條件下具有雙極性(unipolar)電阻轉換行為(resistance switching behavior),且顯示高電阻比值(約3 orders)及低操作電壓亦毋需額外的高溫退火特性,由此可知,非晶質鈧酸鈥薄膜具極高潛力應用於電阻式隨機儲存記憶體。 |
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