一般DFB的良率不高，使得製作成本提高，因此若欲使用較低價位的此型雷射之光纖系統，必須先解決此良率問題。
目前的DBF雷射製作方法中，大多採用折射率偶合系統，並將雷射兩端面，分別蒸鍍抗反射鍍模及高反射度膜，以破壞模態對稱性，使其可以單波長發光。
然而雷射端面的相位，對雷射的發光特性影響非常大，使的發光波長的位置較難控制，且良率較低，另外還有使用耗損耦和和光柵解決前述DBF雷射的單波長良率問題，但需較精確控制其光柵形狀，且會造成較高的臨限電流。此外尚有使用增益耦和光柵來解決前述DBF雷射的單波長良率問題，但因需蝕刻活性材料區，需要較困難的磊晶技術，且有可靠度問題，目前替代技術也存在元件長度較長的問題。
本案係為一種單波長與多波長反饋式布拉格雷射之結構及製造方法，該結構係具有兩個區域，每一雷射係製於同一晶片上，其主要發光之材料結構係以同一次磊晶成長方式製成，而該結構包含一活性材料層，用以發出特定波長範圍之雷射光；二披覆層，位於該活性材料層兩側，以形成完整波導結構；一相移層，具一特定厚度以控制該兩個區域之布拉格波長的差值；一濕蝕刻停止層，位於該活性材料層與該相移層之間；以及一光柵，係以一次全像曝光搭配乾蝕刻或濕蝕刻技術製於整個雷射上，具特定週期以決定發光波長；其中，該兩個區域之差別在於該相移層之有無，該相移層之有無造成該兩個區域之有效折射率不同，進而使該兩個區域之布拉格波長具有一固定差值。
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