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抑制錫鬚晶生長的鍍層結構
 
zoomin      
 
技術名稱
Technology
抑制錫鬚晶生長的鍍層結構
發明人
Inventor
顏怡文, 鄭堯文, 賴梅婷,
所有權人
Asignee
國立臺灣科技大學

專利國家
Country
申請號
Application No.
專利號
Patent No.
中心案號
Serial No.
中華民國 104107243 I571533 1030103TW0
 
點閱數:333
技術摘要:
半導體製程過程中,導線架廣泛地利用電鍍錫做為表面黏著技術,因為在導線架腳表面以電鍍錫連接,可以提高架腳的鈍化性及濕潤性,有助於架腳與印刷電路板之間的相互接合,由於錫表面會有自發性生長單晶的錫鬚,長度可達數公厘,導線架會因為錫鬚成長而造成精密電子儀器的短路,使電子產品的可靠度降低。在學術界會藉由許多不同方法來抑制,而其中在基板和鍍錫層中間鍍上一層鎳金屬的擴散阻礙層,來阻礙銅原子擴散進入錫中和錫原子反應,也可以有效抑制錫鬚的成長。擬以高硬度、高潤濕性及熱穩定性極佳的鎳-鈀-鈷(Ni-Pd-Co)合金模擬抑制錫鬚的擴散阻障層。計畫中先利用電弧熔融配製不同成分比例的鎳-鈀-鈷合金,模擬電鍍擴散阻障層,在其表面電鍍錫層系統,將電鍍不同成分的基材。在40℃下做熱處理和冷熱循環,以掃描式電子顯微鏡觀察其表面結構,並利用統計方式來探討不同組成成份的基材對於鍍膜表面錫鬚晶生長之影響。此研究之結果可應用於3D IC構裝與高階電子構裝,如球閘陣列(BGA)與覆晶(FC)製程中。


 
   




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