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一種製作氮化鎵單橫模垂直共振腔面射型雷射與低半功率角共振腔發光二極體的方法
 
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技術名稱
Technology
一種製作氮化鎵單橫模垂直共振腔面射型雷射與低半功率角共振腔發光二極體的方法
發明人
Inventor
葉秉慧, 余孟純, 林家煥, 黃景勤,
所有權人
Asignee
國立臺灣科技大學

專利國家
Country
申請號
Application No.
專利號
Patent No.
中心案號
Serial No.
中華民國 103145138 I563756 1030076TW0
美國 14/876,817 US9,819,152 1030076US0
 
點閱數:294
技術摘要:
一種製造氮化鎵垂直共振腔面射型雷射或氮化鎵共振腔發光二極體的方法。可有效減小光模直徑至單模態且維持平坦元件表面以幫助光學鍍膜品質,可促成雷射的單橫模發光或顯著降低發光二極體的半功率角。


 
   




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