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技術名稱 Technology
發明人 Inventor
何清華, 陳映岑, 林旻翰,
所有權人 Asignee 國立臺灣科技大學

專利國家 Country 申請號 Application No. 專利號 Patent No. 中心案號 Serial No.
中華民國 103111751 I495750 1020160TW0
  點閱數:2189

技術摘要:
本發明提供一種可相變In2Se3層狀半導體之濺鍍靶材,將一金屬-銦(In)與一硫化物-硒(Se)之組合使用化學氣相傳輸法成功生長一第一可相變層狀半導體層,而生長出的晶體又分為兩種不同型態:烏黑發亮的為α相硒化銦(α- In2Se3)和紅色-黃色為γ相硒化銦(γ- In2Se3),該第一可相變層狀半導體層施加一高能量會相變化為一第二可相變層狀半導體層,經由做熱退火或高能量雷射光照射測試驗證該可相變半導體之γ相↔α相是可逆的,所以此半導體結構為一種可相變層狀半導體,特別的是利用該項變化特性可以廣泛應用於一般光碟片(如預錄型CD-R、DVD-R、CD-RW及DVD-RW)中的反射層或半反射層之一種新興材料,可作為光儲存元件提高儲存品質之一種可相變In2Se3高品質濺鍍靶材,可有效延長資料儲存時間不容易因外在溫度及濕度所影響光碟儲存品質。

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