國立台灣科技大學-專利商品網-專利技術-應用於電阻式隨機儲存記憶體的非晶氧化物薄膜

●

技術名稱 Technology

●

發明人 Inventor

朱瑾, 張雯琪,

●

所有權人 Asignee

國立臺灣科技大學

●

專利國家 Country	申請號 Application No.	專利號 Patent No.	中心案號 Serial No.
美國	13/404,192	US8445888B1	1000155US0

點閱數：1623

技術摘要：

本發明關於電阻式隨機儲存記憶體之效能提升，擬用射頻磁控濺鍍儀製備超薄非晶質鈧酸鈥薄膜於多層膜(Pt/Ti/SiO2/Si)之基板，厚度約為40 nm和含氧量為51 at.%之鈧酸鈥(HSO)薄膜經由半導體分析儀測試，相較於其他類似的材料大部分皆需要forming，本材料在沒有forming的條件下具有雙極性(unipolar)電阻轉換行為(resistance switching behavior)，且顯示高電阻比值(約3 orders)及低操作電壓亦毋需額外的高溫退火特性，由此可知，非晶質鈧酸鈥薄膜具極高潛力應用於電阻式隨機儲存記憶體。

相關圖片：