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電阻式記憶體之可變電阻膜層的製造方法
 
zoomin      
 
技術名稱
Technology
電阻式記憶體之可變電阻膜層的製造方法
發明人
Inventor
周賢鎧, 利嘉仁,
所有權人
Asignee
國立台灣科技大學

專利國家
Country
申請號
Application No.
專利號
Patent No.
中心案號
Serial No.
日本 2010-101210 5551502 0980072JP0
中華民國 098142142 I473209 0980072TW0
美國 12/699895 US8900421 0980072US0
 
點閱數:615
技術摘要:
一種電阻式記憶體之可變電阻膜層的製造方法,該方法包括先將一基材放置於一濺鍍室內。在該濺鍍室中可以具有一銅靶材與一二氧化矽靶材,或是一由銅與二氧化矽相混合的複合靶材。然後,利用該銅靶材與該二氧化矽靶材進行一共濺鍍製程,或是利用該複合靶材來進行一濺鍍製程,以在基材表面沉積一可被用來作為電阻式記憶體之可變電阻膜層的混合膜層,其中該混合膜層之Cu/(Cu+Si)的莫耳百分比為1%~15%。


 
   




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