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單波長與多波長反饋式布拉格雷射之結構及製造方法
 
zoomin      
 
技術名稱
Technology
單波長與多波長反饋式布拉格雷射之結構及製造方法
發明人
Inventor
李三良, 張英發,
所有權人
Asignee
台灣科技大學

專利國家
Country
申請號
Application No.
專利號
Patent No.
中心案號
Serial No.
美國 10/636103 US7012944 0920002US0
 
點閱數:1141
技術摘要:
一般DFB的良率不高,使得製作成本提高,因此若欲使用較低價位的此型雷射之光纖系統,必須先解決此良率問題。

目前的DBF雷射製作方法中,大多採用折射率偶合系統,並將雷射兩端面,分別蒸鍍抗反射鍍模及高反射度膜,以破壞模態對稱性,使其可以單波長發光。

然而雷射端面的相位,對雷射的發光特性影響非常大,使的發光波長的位置較難控制,且良率較低,另外還有使用耗損耦和和光柵解決前述DBF雷射的單波長良率問題,但需較精確控制其光柵形狀,且會造成較高的臨限電流。此外尚有使用增益耦和光柵來解決前述DBF雷射的單波長良率問題,但因需蝕刻活性材料區,需要較困難的磊晶技術,且有可靠度問題,目前替代技術也存在元件長度較長的問題。


本案係為一種單波長與多波長反饋式布拉格雷射之結構及製造方法,該結構係具有兩個區域,每一雷射係製於同一晶片上,其主要發光之材料結構係以同一次磊晶成長方式製成,而該結構包含一活性材料層,用以發出特定波長範圍之雷射光;二披覆層,位於該活性材料層兩側,以形成完整波導結構;一相移層,具一特定厚度以控制該兩個區域之布拉格波長的差值;一濕蝕刻停止層,位於該活性材料層與該相移層之間;以及一光柵,係以一次全像曝光搭配乾蝕刻或濕蝕刻技術製於整個雷射上,具特定週期以決定發光波長;其中,該兩個區域之差別在於該相移層之有無,該相移層之有無造成該兩個區域之有效折射率不同,進而使該兩個區域之布拉格波長具有一固定差值。



     
 
     
 
     
 

 
   




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