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一種 -In2Se3異質結構之光學式氧氣檢測器
 
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技術名稱
Technology
一種 -In2Se3異質結構之光學式氧氣檢測器
發明人
Inventor
何清華, 林旻翰, 李嘉軒,
所有權人
Asignee
國立臺灣科技大學

專利國家
Country
申請號
Application No.
專利號
Patent No.
中心案號
Serial No.
中華民國 104123577 I 553305 1040025TW0
 
點閱數:357
技術摘要:
本發明是提供一種使用相In2Se3半導體,因為銦元素容易與氧氣結合而在表面形成相In2Se3−3xO3x /相In2Se3之異質結構置於一容置空間內為檢測此容置空間一個氧氣檢測器,再使用短波長雷射去激發未氧化時的相二元化合物及氧化後相三元化合物之激發光譜訊號由顯示單元解析,可以進一步判斷此容置空間使否有氧氣存在,再藉由高功率雷射去轟擊表面可去除表面氧化物還原成未氧化的相二元化合物,此發明可以做為一種在高氧氣環境下的可逆式氧氣檢測器裝置。


 
   




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