國立台灣科技大學-專利商品網-專利推廣清單-電阻式記憶體之可變電阻膜層的製造方法

研發人才登入

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技術名稱 Technology

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發明人 Inventor

周賢鎧, 利嘉仁,

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所有權人 Asignee

國立台灣科技大學

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專利國家 Country	申請號 Application No.	專利號 Patent No.	中心案號 Serial No.	年費有效日期
韓國	10-2010-0031964	10-1054465	0980072KR0	2016/07/29
中華民國	098142142	I473209	0980072TW0	2021/02/10
美國	12/699,895	US8900421B2	0980072US0	2022/06/02
日本	2010-101210	5551502	0980072JP0	2020/05/30

點閱數：2131

技術摘要：

一種電阻式記憶體之可變電阻膜層的製造方法，該方法包括先將一基材放置於一濺鍍室內。在該濺鍍室中可以具有一銅靶材與一二氧化矽靶材，或是一由銅與二氧化矽相混合的複合靶材。然後，利用該銅靶材與該二氧化矽靶材進行一共濺鍍製程，或是利用該複合靶材來進行一濺鍍製程，以在基材表面沉積一可被用來作為電阻式記憶體之可變電阻膜層的混合膜層，其中該混合膜層之Cu/(Cu+Si)的莫耳百分比為1%~15%。

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