在本專利中，將提出一個適用於低功耗類比前端的高能源效益可編程無輸出電容線性穩壓器。在此線性穩壓器的組成是由一個nMOS懸浮閘導通電晶體、自適性AB類放大器、以及電容式感測與參考電壓電路。相較於pMOS導通電晶體，懸浮閘nMOS導通電晶體擁有更好的高電源雜訊抑制效能，並且保留與pMOS導通電晶體一樣低的200mV電壓降。此線性穩壓器所採用的放大器由AB類差動對與自適性折疊式疊加結構所組成，擁有快速的暫態響應與低功耗的特性。在參考電壓的部分，本專利捨棄一般架構所使用的能隙電路，藉由調整懸浮閘內電荷量做為參考電壓，除了穩壓器的功能耗更進一步降低，該連續性的輸出電壓亦擁有相當低的溫度變異。本電路原型已被設計，使用0.35um CMOS製程製作，展示其各項特性。本專利中的穩壓器輸出電壓範圍為1.2V至2.5V，其中溫度變異為100 ppm/oC。當沒有負載電流時，最大負載電容為100pF；當負載電流提升至200uA時，最大負載電容為10nF。本穩壓器最大功耗為1uA。最大輸出電流為2.5mA。電流效益高於99.96%。線性調節率為0.17mV/V。負載調節率為1.52mV/mA。穩定時間小於34.3us
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技術摘要：
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